大芯超導有限公司元器件專業(yè)分銷BASiC基本半導體碳化硅SiC功率MOSFET,BASiC基本半導體碳化硅功率器件,BASiC SiC MOSFET,BASiC SiC JBS碳化硅二極管,BASiC SiC碳化硅模塊,BASiC基本半導體SiC碳化硅MOSFET模塊,BASiC基本半導體單管IGBT,BASiC基本半導體IGBT模塊,BASiC基本半導體三電平IGBT模塊,BASiC基本半導體I型三電平IGBT模塊,BASiC基本半導體T型三電平IGBT模塊,BASiC 混合IGBT單管,BASiC 混合IGBT模塊,BASiC 三電平IGBT模塊。BASiC基本半導體碳化硅SiC功率MOSFET,基本半導體混合SiC-IGBT單管,BASiC基本半導體混合SiC-IGBT模塊適合應用于雙向AC-DC電源,能量的雙向流通的雙向 LLC 諧振變換器,變換效率高,儲能變流器碳化硅SiC功率MOSFET,基本半導體混合IGBT模塊被廣泛應用于新能源領域,醫(yī)療電源,X射線高壓電源,大功率高頻高速變頻器,BASiC基本半導體碳化硅SiC功率MOSFET,基本半導體混合SiC-IGBT單管,BASiC基本半導體混合SiC-IGBT模塊使用于雙向DC/DC變換器為雙向非隔離型直流變換器,實現(xiàn)直流升壓降壓轉換,儲能PCS-Buck-Boost電路,高壓側接入PV直流側,三相維也納PFC電路,三電平LLC直流變換器,移相全橋拓撲,低壓側接電池組。
基本半導體混合SiC功率模塊 Hybrid SiC Module主要特點: 1.與普通IGBT模塊相比,混合SiC模塊可大幅降低FRD的開關損耗與 IGBT 的開通損耗,有助于電力電子設備的降低功率損耗。不同應用條件下總損耗可以
降低20~40%。相對全SiC模塊,性價比更高。
2.可以顯著提高功率模塊開關頻率。因此有助于縮減輸出濾波電感電容等周邊元器件的規(guī)格成本,實現(xiàn)整機的小型化、在現(xiàn)有系統(tǒng)的不變的情況下,將普通IGBT模塊更換為混合SiC模塊實現(xiàn)更大的輸出功率。
3.多種電流及封裝規(guī)格,半橋結構。EconoDUAL™ 3 Hybrid SiC Module:300A,450A,600A,800A 1200V 62mm STD 2in1 :300A,450A,600A,800A 1200V
典型應用:測試電源-直流源,除塵電源,等離子切割,電源醫(yī)療電源CT, MRI,軌道交通輔助電源
LLC諧振變換器能實現(xiàn)全負載范圍內(nèi)開關管的零電壓開通(ZVS,Zero Voltage Switching),相比其他開關電源,其輸入輸出電壓調(diào)節(jié)范圍較寬,且具有高效率,低噪聲,高功率密度等諸多優(yōu)點.與傳統(tǒng)Si基功率器件相比,BASiC基本半導體碳化硅SiC功率MOSFET,基本半導體混合SiC-IGBT單管,BASiC基本半導體混合SiC-IGBT模塊具有更加優(yōu)良的特性,更加適用于高頻高壓大功率場合.針對單相LLC諧振變換器在大電流大功率輸出應用時的不足,采用三相交錯并聯(lián)的LLC諧振變換器拓撲并將其與BASiC基本半導體碳化硅SiC功率MOSFET,基本半導體混合SiC-IGBT單管,BASiC基本半導體混合SiC-IGBT模塊相結合提升功率密度.雙向LLC諧振變換器廣泛應用于充電樁電源模塊,V2G電源模塊,電網(wǎng)儲能PCS,從調(diào)峰調(diào)頻到備電、價差套利,儲能將成為新型電力系統(tǒng)的穩(wěn)定器,雙向LLC諧振變換器電源模塊化助推儲能PCS業(yè)務發(fā)展。
BASiC基本半導體650V/1200V Hybrid IGBT 單管IGBT TO274-3和TO247-4 具備高速IGBT技術和碳化硅肖特基二極管的主要優(yōu)點,具備出色的開關速度和更低的開關損耗,TO-247 4 引腳封裝具有一個額外的開爾文發(fā)射極連接。此 4 引腳也被稱為開爾文發(fā)射極端子,繞過柵極控制回路上的發(fā)射極引線電感,從而提高 IGBT或者碳化硅MOSFET 的開關速度并降低開關能量。英飛凌單管IGBT國產(chǎn)代替主要規(guī)格有BG50N65HA1,BGH50N65HF1(IKW50N65RH5國產(chǎn)替代,AIKW50N65RF5國產(chǎn)替代,IKW50N65ES5國產(chǎn)替代,IKW50N65EH5國產(chǎn)替代,IKW50N65ET7國產(chǎn)替代),BGH50N65HS1典型應用戶用光伏儲能機雙向Buck-Boost電路,單相光伏逆變器Heric電路 (IKW50N65SS5國產(chǎn)替代),BGH50N65ZF1(IKZA50N65RH5,IKZA50N65SS5國產(chǎn)替代),BG75N65HA1,BGH75N65HF1(IKW75N65RH5國產(chǎn)替代,IKW75N65ES5國產(chǎn)替代,IKW75N65EH5國產(chǎn)替代,IKW75N65ET7國產(chǎn)替代),BGH75N65HS1典型應用戶用光伏儲能機雙向Buck-Boost電路,單相光伏逆變器Heric電路 (IKW75N65SS5國產(chǎn)替代),BGH75N65ZF1(IKZA75N65RH5,IKZA75N65SS5國產(chǎn)替代),BGH40N120HF典型應用光伏三相儲能機雙向Buck-Boost電路,T型三電平橫管(IKW40N120H3,IKW40N120CS6,IKW40N120CS7國產(chǎn)替代),BGH75N120HS 典型應用光伏三相儲能機雙向Buck-Boost電路,T型三電平橫管 (IKQ75N120CH3國產(chǎn)替代,IKQ75N120CS6國產(chǎn)替代,)特別適用于 DC-DC 功率變換器和PFC電路。其常見應用包括:戶用光伏逆變器650V混合SiC IGBT單管,戶用光伏逆變器,組串光伏逆變器,戶用儲能逆變器,雙向變流器,雙向逆變器,車載充電機(OBC)、ESS儲能系統(tǒng)、PV inverter光伏逆變器、UPS不間斷電源系統(tǒng) (UPS),以及服務器和電信用開關電源 (SMPS) ,基本半導體混合碳化硅分立器件將新型場截止IGBT技術和碳化硅肖特基二極管技術相結合,為硬開關拓撲打造了一個兼顧品質(zhì)和性價比的方案。該器件將傳統(tǒng)的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封,在部分應用中可以替代傳統(tǒng)的IGBT (硅基IGBT與硅基快恢復二極管合封),使IGBT的開關損耗大幅降低,適用于車載電源充電機(OBC)、通信電源、高頻DC-DC電源轉換器、儲能等領域。
高效逆變器用 HERIC 電路和相關工藝可用于單相逆變器,該拓撲是在H橋的橋臂兩端加上兩個反向的開關管進行續(xù)流,以達到續(xù)流階段電網(wǎng)與光伏電池隔離的目的,尤其是在低功率范圍內(nèi)(如屋頂光伏系統(tǒng)),其基于傳統(tǒng)H4電路上在交流側加入旁路功能的第五、六開關。其有效隔離了零電平時候交流濾波電感L與寄生電容C之間的無功交換,提升系統(tǒng)效率,且降低寄生電容上的電壓高頻分量,消除漏電流,通過利用BASiC基本半導體SiC碳化硅功率半導體的開關損耗低特性,單相HERIC電路中,用單一器件BASiC基本半導體650V混合SiC-IGBT單管可以有效降低高頻管的損耗,顯著降低器件的工作結溫,提升系統(tǒng)效率,BASiC基本半導體650V混合SiC-IGBT單管繼承了經(jīng)典的TO247封裝,客戶可以在不變更PCB和電路情況下,對老的產(chǎn)品進行直接替換,從而在最短時間內(nèi)達到系統(tǒng)效率的提升和增加開關頻率的目的。同時,由于器件帶來系統(tǒng)損耗減少的優(yōu)勢,可以降低散熱設計要求和成本;開關頻率提升可以有效降低并網(wǎng)電感的尺寸和大小,減少電流諧波對電網(wǎng)的污染。HERIC電路設計的拓撲結構可以實現(xiàn)高達99%超高轉化效率,同時將EMI保持在較低的水平。除了具有更高的能量輸出的優(yōu)點外,這種拓撲結構還降低了部件的熱應力,因而散熱器可以設計得更小,使用壽命卻更長。行業(yè)普遍認為到目前為止,這是戶用光伏逆變器儲能變流器PCS設備中較好的設計。
BASiC基本半導體混合IGBT Hybrid Discrete搭載了為高頻開關優(yōu)化的IGBT晶圓以及650VBASiC基本SiC二極管,基本SiC二極管極小Qrr,有效降低對管IGBT開通損耗,且自身反向恢復損耗Erec也明顯降低,IGBT開通損耗隨溫度的影響很小,降低EMI,廣泛應用于OBC車載充電器,光伏儲能逆變器,充電樁電源模塊,移動儲能逆變器功率因數(shù)校正(PFC)、DC-DC(直流-直流)和DC-AC(直流-交流)等。
BASiC基本半導體碳化硅MOSFET B1M160120HC,B1M080120HC,B1M080120HK,B1M032120HC,B1M032120HK具備開關中的小柵極電荷和器件電容、反并聯(lián)二極管無反向恢復損耗、與溫度無關的低開關損耗,以及無閾值通態(tài)特性等。非常適合硬開關和諧振開關拓撲,如LLC和ZVS,廣泛應用于OBC車載充電器,光伏儲能逆變器,充電樁電源模塊等,可以像IGBT或MOSFET一樣使用易于使用的驅動器進行驅動。由于能在高開關頻率下帶來高效率,從而可以減小系統(tǒng)尺寸、增大功率密度,并確保高可靠性,延長使用壽命。
光伏逆變器升壓SiC碳化硅二極管B2D10120H1,B2D20120HC1,B2D20120H1,B2D30120HC1,B2D30120H1,B2D40120H1,B2D20065HC1,B2D20065H1,B2D30065H,B2D40065H,B2D02120E1,光伏逆變器SiC MOSFET,IGBT Hybrid Discrete,混合三電平SiC-IGBT模塊,IGBT單管,混合IGBT單管,SiC MOSFET,SiC Power MOSFET,SiC MOSFET模塊,SOT-227碳化硅肖特基二極管模塊,混合SiC-IGBT模塊,BASiC基本混合混合SiC-IGBT單管,分立碳化硅MOSFET,TO263-7碳化硅MOSFET,碳化硅(SiC)MOSFET,儲能逆變器SiC MOSFET,光伏逆變器SiC MOSFET,三電平IGBT模塊,光儲一體機混合IGBT器件
BASiC基本半導體第三代碳化硅肖特基二極管在沿用6英寸晶圓工藝基礎上,實現(xiàn)了更高的電流密度、更小的元胞尺寸、更低的正向導通壓降。BASiC基本半導體第三代碳化硅肖特基二極管繼承了一代和二代產(chǎn)品的優(yōu)點,采用JBS結構,優(yōu)化了N-外延層的摻雜濃度,減薄N+襯底層,使得二極管具有更低的正向導通壓降VF和結電荷QC,可以降低應用端的導通損耗和開關損耗。
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