我們的團(tuán)隊(duì)充滿朝氣與活力，團(tuán)隊(duì)平均年齡不超過(guò)30歲，70%以上人員擁有超5年的行業(yè)工作經(jīng)驗(yàn)，我們?yōu)榭蛻籼峁┭邪l(fā)選型階段之規(guī)格推薦,樣品提供，技術(shù)支持及方案整合等專業(yè)的服務(wù)，并配合客戶依照需求提前備料及庫(kù)存管理。 

 

我們已經(jīng)在新能源、汽車電子、工業(yè)控制、電力電子、醫(yī)療、物聯(lián)網(wǎng)、機(jī)器人等領(lǐng)域擁有比較高的市場(chǎng)占有率。我們持續(xù)提供快速的反饋及優(yōu)越的交貨服務(wù)滿足客戶差異化之需求，以創(chuàng)造更高的產(chǎn)品附加價(jià)值。

BASiC基本碳化硅MOSFET具備開(kāi)關(guān)中的小柵極電荷和器件電容、反并聯(lián)二極管無(wú)反向恢復(fù)損耗、與溫度無(wú)關(guān)的低開(kāi)關(guān)損耗，以及無(wú)閾值通態(tài)特性等。非常適合硬開(kāi)關(guān)和諧振開(kāi)關(guān)拓?fù)?，如LLC和ZVS，廣泛應(yīng)用于OBC車載充電器，光伏儲(chǔ)能逆變器，充電樁電源模塊等，可以像IGBT或MOSFET一樣使用易于使用的驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。由于能在高開(kāi)關(guān)頻率下帶來(lái)高效率，從而可以減小系統(tǒng)尺寸、增大功率密度，并確保高可靠性，延長(zhǎng)使用壽命。

BASiC基本SiC MOSFET,BASiC基本SiC Power MOSFET,SiC MOSFET模塊，BASiC基本SOT-227碳化硅肖特基二極管模塊，混合SiC-IGBT模塊，BASiC基本混合混合SiC-IGBT單管，分立碳化硅MOSFET，TO263-7碳化硅MOSFET，碳化硅（SiC）MOSFET，儲(chǔ)能逆變器SiC MOSFET，光伏逆變器SiC MOSFET

BASiC基本混合IGBT Hybrid Discrete搭載了為高頻開(kāi)關(guān)優(yōu)化的IGBT晶圓以及650VBASiC基本SiC二極管，基本SiC二極管極小Qrr，有效降低對(duì)管IGBT開(kāi)通損耗，且自身反向恢復(fù)損耗Erec也明顯降低，IGBT開(kāi)通損耗隨溫度的影響很小，降低EMI，廣泛應(yīng)用于OBC車載充電器，光伏儲(chǔ)能逆變器，充電樁電源模塊，移動(dòng)儲(chǔ)能逆變器功率因數(shù)校正（PFC）、DC-DC（直流-直流）和DC-AC（直流-交流）等。