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第三代碳化硅肖特基二極管

發(fā)布時間：2022-10-04 瀏覽次數：104 返回列表

基本半導體有限公司是中國第三代半導體行業(yè)領軍企業(yè)，專業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產業(yè)化。公司總部位于深圳，在北京、上海、南京、無錫、香港以及日本名古屋設有研發(fā)中心和制造基地。公司擁有一支國際化的研發(fā)團隊，核心成員包括二十余位來自清華大學、中國科學院、英國劍橋大學、德國亞琛工業(yè)大學、瑞典皇家理工學院、瑞士聯(lián)邦理工學院等國內外知名高校及研究機構的博士。基本半導體掌握領先的碳化硅核心技術，研發(fā)覆蓋碳化硅功率半導體的材料制備、芯片設計、封裝測試、驅動應用等產業(yè)鏈關鍵環(huán)節(jié)，累計獲得兩百余項專利授權，核心產品包括碳化硅二極管和MOSFET芯片、汽車級碳化硅功率模塊、碳化硅驅動芯片等，性能達到國際先進水平，服務于光伏儲能、電動汽車、軌道交通、工業(yè)控制、智能電網等領域的全球數百家客戶。

產品型號封裝電壓(V) 電流(A)

B1D02065E TO-252 650 2

B1D02065K TO-220 650 2

B1D04065E TO-252 650 4

B1D04065K TO-220 650 4

B1D04065KF TO-220F 650 4

B2D04065V SMBF 650 4

B2D04065D DFN5*6 650 4

B2D04065K1 TO-220 650 4

B204065KF1 TO-220F 650 4

B2D04065D1 DFN5*6 650 4

B2D04065V1 SMBF 650 4

B1D06065E TO-252 650 6

B1D06065F TO-263 650 6

B1D06065K TO-220 650 6

B1D06065KS TO-220 650 6

B1D06065KF TO-220 650 6

B2D06065K TO-220 650 6

B2D06065E TO-252 650 6

B2D06065Q DFN8*8 650 6

B1D08065E TO-252 650 8

B1D08065F TO-263 650 8

B1D08065K TO-220 650 8

B1D08065KS "TO-220

B1D16065HC TO-247-3 650 16

B2D08065K TO-220 650 8

B2D08065KS "TO-220

B1D10065H TO-247-2 650 10

B1D10065E TO-252 650 10

B1D10065F TO-263 650 10

B1D10065K TO-220 650 10

B1D10065KF TO-220F 650 10

B1D10065KS "TO-220

B1D20065HC TO-247-3 650 20

B2D10065KS "TO-220

B2D10065K TO-220 650 10

B2D10065F TO-263 650 10

B2D10065Q TO-263 650 10

B2D10065K1 TO-220 650 10

B2D20065HC1 TO-247 650 20

B1D12065K TO-220 650 12

B1D15065K TO-220 650 15

B1D30065HC TO-247-3 650 30

B1D30065TF TO-3PF 650 30

B2D15065K TO-220 650 15

B2D30065HC1 TO-247-3 650 30

B1D20065K TO-220 650 20

B1D40065H TO-247-3 650 40

B2D20065K TO-220 650 20

B2D20065H TO-247-2 650 20

B2D40065HC TO-247-3 650 20

B2D20065H1 TO-247-2 650 20

B2D40065HC1 TO-247-3 650 20

B1D02120E TO-252 1200 2

B1D02120K TO-220 1200 2

B2D02120E1 TO-252 1200 2

B2D02120K1 TO-220 1200 2

B1D03120E TO-252 1200 3

B1D05120K TO-220 1200 5

B1D05120E TO-252 1200 5

B1D10120HC TO-247-3 1200 10

B2D05120K1 TO-220 1200 5

B2D05120E1 TO-252 1200 5

B2D10120HC1 TO-247-3 1200 10

B1D16120HC TO-247-3 1200 8

B2D16120HC1 TO-247-3 1200 8

B1D10120E TO-252 1200 10

B1D10120K TO-220 1200 10

B1D10120H TO-247-2 1200 10

B1D10120F TO-263 1200 10

B1D20120HC TO-247-3 1200 20

B2D10120K1 TO-220 1200 10

B2D10120H1 TO-247-2 1200 20

B2D20120HC1 TO-247-3 1200 20

B1D30120HC TO-247-3 1200 30

B2D30120HC1 TO-247-3 1200 30

B2D15120H1 TO-247-2 1200 15

B1D20120H TO-247-2 1200 20

B1D40120HC TO-247-3 1200 40

B1DH20120W TO-247plus 1200 20

B2D20120F1 TO-263 1200 20

B2D20120H1 TO-263 1200 20

B2D40120HC1 TO-247-3 1200 40

B2DH20120W1 TO-247plus 1200 20

B1D30120H TO-247-2 1200 30

B2D30120H1 TO-247-2 1200 30

B1D40120H TO-247-2 1200 40

B2D40120H1 TO-247-2 1200 40

B1M018120HC TO-247-3 1200 100

B1M018120HK TO-247-4 1200 100

B1M032120HC TO-247-3 1200 50

B1M032120HK TO-247-4 1200 50

B1M080120HC TO-247-3 1200 20

B1M080120HK TO-247-4 1200 20

B1M160120HC TO-247-3 1200 10

碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，與傳統(tǒng)的硅基器件相比，具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(3×106V/cm)和高導熱系數(4.9W/cm·K)使得功率半導體器件效率更高，運行速度更快，并且在設備的成本、體積、重量等方面都得到了降低?；景雽w碳化硅肖特基二極管，提供行業(yè)標準封裝，具有優(yōu)越的性能和極高的工作效率。

基本半導體推出的第三代碳化硅肖特基二極管有以下優(yōu)點：

更低VF：第三代二極管具有更低VF，同時VF隨溫度的增長率也更低，使應用導通損耗更低。

更低QC：第三代二極管具有更低QC，使應用開關損耗更低。

更高性價比：芯片面積減小后，第三代二極管具有更高性價比。

更高產量：使用6英寸晶圓平臺，單片晶圓產出提升至4英寸平臺的2倍以上。

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