組串式逆變器是基于模塊化概念基礎(chǔ)上的，每個(gè)光伏組串通過(guò)一個(gè)逆變器，多塊電池板組成一個(gè)組串，接入小功率單相逆變器在直流端具有最大功率峰值跟蹤，在交流端并聯(lián)并網(wǎng)，已成為現(xiàn)在全球市場(chǎng)上最流行的逆變器。拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)采用DC-DC－BOOST升壓（MPPT）和DC－AC逆變兩級(jí)電力電子器件變換，防護(hù)等級(jí)一般為IP65。體積較小，可室外壁掛式安裝。

組串光伏逆變器有多路MPPT，每路MPPT器件選型為基本™B2M040120Z或B3M040120Z+基本™碳化硅肖特基二極管B2D30120HC1,B3D30120HC,B2D30120H1,B3D30120H.

MPPT選擇基本™SiC碳化硅功率器件方案的邏輯：

組串式逆變器早期舊方案中的開(kāi)關(guān)管需要用兩顆40A/1200V IGBT并聯(lián)或者75A/1200V IGBT，升壓二極管是1200V 60A Si FRD，開(kāi)關(guān)管的開(kāi)關(guān)頻率只有16kHz~18kHz

而新方案選用基本™SiC碳化硅MOSFET開(kāi)關(guān)B2M040120Z或B3M040120Z頻率為40-60kHz，大幅度減小了電感等磁性元件的體積和成本，并且基本™SiC碳化硅功率器件的殼溫低于IGBT方案，提升了系統(tǒng)可靠性。

 

基本公司SiC碳化硅MOSFET組串式逆變器DC－AC中的應(yīng)用 SiC MOSFET在三電平并網(wǎng)逆變器中的應(yīng)用

 

基本公司SiC碳化硅MOSFET單管B2M040120Z或B3M040120Z適用于組串式逆變器DC－AC中T型三電平的豎管。逆變器開(kāi)關(guān)頻率通常較高，同時(shí)其工作原理決定了開(kāi)關(guān)損耗占比較大，所以豎管需要具有低的開(kāi)關(guān)損耗；基本公司B2M040120Z或B3M040120Z碳化硅 (SiC) MOSFET出色的材料特性使得能夠設(shè)計(jì)快速開(kāi)關(guān)單極型器件，替代升級(jí)雙極型 IGBT  （絕緣柵雙極晶體管）。基本公司B2M040120Z或B3M040120Z碳化硅 (SiC) MOSFET替代IGBT可以得到更高的效率、更高的開(kāi)關(guān)頻率、更少的散熱和節(jié)省空間——這些好處反過(guò)來(lái)也降低了總體系統(tǒng)成本。T型三電平橫管可以使用基本公司混合碳化硅器件。

通過(guò)使用基本公司SiC碳化硅MOSFET單管可以很容易地從光伏三電平并網(wǎng)逆變器整體效率的提高中計(jì)算出能源使用和成本節(jié)約；與IGBT單管解決方案相比，基本公司SiC碳化硅MOSFET單管可以將儲(chǔ)能變流器PCS或者光伏三電平并網(wǎng)逆變器的損耗減半，并提供通常2%的額外能量和運(yùn)行時(shí)間?；竟維iC碳化硅MOSFET單管B2M040120Z或B3M040120Z的單位成本已經(jīng)接近IGBT單管。因?yàn)榛竟維iC碳化硅MOSFET單管更高的開(kāi)關(guān)頻率允許光伏三電平并網(wǎng)逆變器使用更小、更便宜的磁性元件和散熱器，所以在系統(tǒng)層面上，光伏三電平并網(wǎng)逆變器硬件成本會(huì)大大降低。

 

IGBT芯片技術(shù)不斷發(fā)展，但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進(jìn)幅度越來(lái)越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來(lái)越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導(dǎo)體提供了實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開(kāi)關(guān)損耗，從而提高開(kāi)關(guān)頻率。進(jìn)一步的，可以優(yōu)化濾波器組件，相應(yīng)的損耗會(huì)下降，從而全面減少系統(tǒng)損耗。通過(guò)采用低電感SiC MOSFET功率模塊，與同樣封裝的Si IGBT模塊相比，功率損耗可以降低約70%左右，可以將開(kāi)關(guān)頻率提5倍（實(shí)現(xiàn)顯著的濾波器優(yōu)化），同時(shí)保持最高結(jié)溫低于最大規(guī)定值。

 

為了保持電力電子系統(tǒng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，同時(shí)也為了使最終用戶獲得經(jīng)濟(jì)效益，一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的優(yōu)勢(shì)所在。隨著IGBT技術(shù)到達(dá)發(fā)展瓶頸，加上SiC MOSFET絕對(duì)成本持續(xù)下降，使用SiC MOSFET替代升級(jí)IGBT已經(jīng)成為各類型電力電子應(yīng)用的主流趨勢(shì)。

 

 

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傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN，驅(qū)動(dòng)IC)分銷商，聚焦新能源、交通電動(dòng)化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，致力于服務(wù)中國(guó)工業(yè)電源，電力電子裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。在新型能源體系的發(fā)展趨勢(shì)場(chǎng)景下，融合數(shù)字技術(shù)、電力電子技術(shù)、熱管理技術(shù)和儲(chǔ)能管理技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)發(fā)電的低碳化、用能的電氣化和用電的高效化，以及“源、網(wǎng)、荷、儲(chǔ)、車”的協(xié)同發(fā)展。傾佳電子（Changer Tech）-以技術(shù)創(chuàng)新為導(dǎo)向，將不斷創(chuàng)新技術(shù)和產(chǎn)品，堅(jiān)定不移與產(chǎn)業(yè)和合作伙伴攜手，積極參與數(shù)字能源產(chǎn)業(yè)生態(tài)，為客戶提供高品質(zhì)汽車智能互聯(lián)連接器與線束，新能源汽車連接器，新能源汽車高壓連接器與線束，直流充電座，耐高壓連接器&插座，創(chuàng)新型車規(guī)級(jí)互聯(lián)產(chǎn)品，包括線對(duì)板、板對(duì)板、輸入輸出、電源管理和FFC-FPC連接器，涵蓋2級(jí)充電站和可在30分鐘內(nèi)為EV電池充滿電的3級(jí)超快速充電站的高能效電源連接器，用于地下無(wú)線充電的IP67級(jí)密封連接器。以及以技術(shù)創(chuàng)新為導(dǎo)向的各類功率半導(dǎo)體器件：車規(guī)碳化硅(SiC)MOSFET，大容量RC-IGBT模塊，碳化硅(SiC)MOSFET模塊，IGBT模塊，國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET，IPM模塊，IGBT單管，混合IGBT單管，三電平IGBT模塊，混合IGBT模塊，光伏MPPT碳化硅MOSFET，伺服驅(qū)動(dòng)SiC碳化硅MOSFET，逆變焊機(jī)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET，OBC車載SiC碳化硅MOSFET，儲(chǔ)能變流器PCS碳化硅MOSFET模塊，充電樁電源模塊碳化硅MOSFET，國(guó)產(chǎn)氮化鎵GaN，隔離驅(qū)動(dòng)IC等產(chǎn)品，傾佳電子（Changer Tech）全面服務(wù)于中國(guó)新能源汽車行業(yè)，新能源汽車電控系統(tǒng)，電力電子裝備，新能源汽車充電樁系統(tǒng)，全液冷超充，高功率密度風(fēng)冷充電模塊，液冷充電模塊，歐標(biāo)充電樁，車載DCDC模塊，國(guó)網(wǎng)三統(tǒng)一充電模塊光儲(chǔ)變流器，分布式能源、虛擬電廠、智能充電網(wǎng)絡(luò)、V2X、綜合智慧能源、智能微電網(wǎng)智能光儲(chǔ)，智能組串式儲(chǔ)能等行業(yè)應(yīng)用，傾佳電子（Changer Tech）為實(shí)現(xiàn)零碳發(fā)電、零碳數(shù)據(jù)中心、零碳網(wǎng)絡(luò)、零碳家庭等新能源發(fā)展目標(biāo)奮斗，從而為實(shí)現(xiàn)一個(gè)零碳地球做出貢獻(xiàn)，邁向數(shù)字能源新時(shí)代！Changer Tech strives to achieve new energy development goals such as zero-carbon power generation, zero-carbon data centers, zero-carbon networks, and zero-carbon homes, thereby contributing to the realization of a zero-carbon earth and moving towards a new era of digital energy!