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三電平SiC碳化硅MOSFET功率模塊上海一級代理商
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 傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(IGBT單管，IGBT模塊，碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN，驅(qū)動IC)分銷商，聚焦新能源、交通電動化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，致力于服務(wù)中國工業(yè)電源，電力電子裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。相較傳統(tǒng)汽車，新能源汽車在電驅(qū)動單元、電氣設(shè)備的數(shù)量上都有較大的增加，內(nèi)部動力電流及信息電流錯綜復(fù)雜，特別是高電流、高電壓的電驅(qū)動系統(tǒng)對連接器的可靠性、體積和電氣性能提出更高的要求，這意味著新能源汽車對連接器產(chǎn)品需求量及質(zhì)量要求都將大幅提升。在新能源汽車中，高壓連接器是極其重要的元部件，整車、充電設(shè)施上均有應(yīng)用。整車上高壓連接器主要應(yīng)用場景有：DC、水暖PTC充電機、風暖PTC、直流充電口、動力電機、高壓線束、維修開關(guān)、逆變器、動力電池、高壓箱、電動空調(diào)、交流充電口等。在電動汽車中，碳化硅功率器件的應(yīng)用主要為兩個方向，一個用于電機驅(qū)動逆變器（電機控制器），另一個用于車載電源系統(tǒng)，主要包括：電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)（車載DC/DC）、車載充電系統(tǒng)（OBC）、車載空調(diào)系統(tǒng)（PTC和空壓機）等方面。碳中和、智能化引領(lǐng)人類社會進入生態(tài)文明發(fā)展時代，科技創(chuàng)新為能源、交通、信息產(chǎn)業(yè)打造最強的發(fā)展動能?？萍紕?chuàng)新融合數(shù)字技術(shù)和電力電子技術(shù)，為新型電力系統(tǒng)能源基礎(chǔ)設(shè)施、新型電動出行能源基礎(chǔ)設(shè)施、新型數(shù)字產(chǎn)業(yè)能源基礎(chǔ)設(shè)施等‘三新能源基礎(chǔ)設(shè)施’，引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。”
 
IGBT芯片技術(shù)不斷發(fā)展，但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進幅度越來越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導(dǎo)體提供了實現(xiàn)半導(dǎo)體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開關(guān)損耗，從而提高開關(guān)頻率。進一步的，可以優(yōu)化濾波器組件，相應(yīng)的損耗會下降，從而全面減少系統(tǒng)損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊，與同樣封裝的Si IGBT模塊相比，功率損耗可以降低約70%左右，可以將開關(guān)頻率提5倍（實現(xiàn)顯著的濾波器優(yōu)化），同時保持最高結(jié)溫低于最大規(guī)定值。
 
為了保持電力電子系統(tǒng)競爭優(yōu)勢，同時也為了使最終用戶獲得經(jīng)濟效益，一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的優(yōu)勢所在。隨著IGBT技術(shù)到達發(fā)展瓶頸，加上SiC MOSFET絕對成本持續(xù)下降，使用SiC MOSFET替代升級IGBT已經(jīng)成為各類型電力電子應(yīng)用的主流趨勢。
 
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Sunsanna Yang 楊茜
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國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件可靠性及一致性如何確保？
電力電子系統(tǒng)研發(fā)制造商一般需要碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商提供可靠性測試報告的原始數(shù)據(jù)和器件封裝的FT數(shù)據(jù)。
SiC碳化硅MOSFET可靠性報告原始數(shù)據(jù)主要來自以下可靠性測試環(huán)節(jié)的測試前后的數(shù)據(jù)對比，通過對齊可靠性報告原始數(shù)據(jù)測試前后漂移量的對比，從而反映器件的可靠性控制標準及真實的可靠性裕量。
FT數(shù)據(jù)來自碳化硅MOSFET功率器件FT測試(Final Test，也稱為FT)是對已制造完成的碳化硅MOSFET功率器件進行結(jié)構(gòu)及電氣功能確認，以保證碳化硅MOSFET功率器件符合系統(tǒng)的需求。
通過分析碳化硅MOSFET功率器件FT數(shù)據(jù)的關(guān)鍵數(shù)據(jù)（比如V(BR)DSS，VGS(th)，RDS(on)，
IDSS）的正態(tài)分布，可以定性碳化硅MOSFET功率器件材料及制程的穩(wěn)定性，這些數(shù)據(jù)的定性對電力電子系統(tǒng)設(shè)計及大批量制造的穩(wěn)定性也非常關(guān)鍵。
 
基本™（BASiC Semiconductor）第二代SiC碳化硅MOSFET兩大主要特色：
 
1.出類拔萃的可靠性：相對競品較為充足的設(shè)計余量來確保大規(guī)模制造時的器件可靠性。
基本™（BASiC Semiconductor）第二代SiC碳化硅MOSFET 1200V系列擊穿電壓BV值實測在1700V左右，高于市面主流競品，擊穿電壓BV設(shè)計余量可以抵御碳化硅襯底外延材料及晶圓流片制程的擺動，能夠確保大批量制造時的器件可靠性，這是基本™（BASiC Semiconductor）第二代SiC碳化硅MOSFET布袋除塵器關(guān)鍵的品質(zhì). 基本™（BASiC Semiconductor）第二代SiC碳化硅MOSFET雪崩耐量裕量相對較高，也增強了在電力電子系統(tǒng)應(yīng)用中的可靠性。
 
2.可圈可點的器件性能：同規(guī)格較小的Crss帶來出色的開關(guān)性能。
基本™（BASiC Semiconductor）第二代SiC碳化硅MOSFET反向傳輸電容Crss 在市面主流競品中是比較小的，帶來關(guān)斷損耗Eoff也是市面主流產(chǎn)品中非常出色的，優(yōu)于部分海外競品，特別適用于LLC應(yīng)用.
 
Basic™ (BASiC Semiconductor) second generation SiC silicon carbide MOSFET has two main features:
1. Outstanding reliability: Compared with competing products, there is sufficient design margin to ensure device reliability during mass manufacturing.
The breakdown voltage BV value of BASiC Semiconductor's second-generation SiC silicon carbide MOSFET 1200V series is measured to be around 1700V, which is higher than mainstream competing products on the market. The breakdown voltage BV design margin can withstand silicon carbide substrate epitaxial materials and wafers. The swing of the tape-out process can ensure device reliability during mass manufacturing, which is the most critical quality of BASiC Semiconductor’s second-generation SiC silicon carbide MOSFET. BASiC Semiconductor’s second-generation SiC silicon carbide MOSFET The relatively high avalanche tolerance margin also enhances reliability in power electronic system applications.
2. Remarkable device performance: Smaller Crss with the same specifications brings excellent switching performance.
BASiC Semiconductor's second-generation SiC silicon carbide MOSFET reverse transmission capacitor Crss is relatively small among mainstream competing products on the market, and its turn-off loss Eoff is also very good among mainstream products on the market, better than some overseas competing products. , especially suitable for LLC applications, typical applications such as charging pile power module downstream DC-DC applications.
 
Ciss：輸入電容（Ciss＝Cgd＋Cgs） ⇒柵極-漏極和柵極-源極電容之和：它影響延遲時間；Ciss越大，延遲時間越長?；?trade;（BASiC Semiconductor）第二代SiC碳化硅MOSFET 優(yōu)于主流競品。
Crss：反向傳輸電容（Crss＝Cgd） ⇒柵極-漏極電容：Crss越小，漏極電流上升特性越好，這有利于MOSFET的損耗，在開關(guān)過程中對切換時間起決定作用，高速驅(qū)動需要低Crss。
Coss：輸出電容（Coss＝Cgd＋Cds）⇒柵極-漏極和漏極-源極電容之和：它影響關(guān)斷特性和輕載時的損耗。如果Coss較大，關(guān)斷dv／dt減小，這有利于噪聲。但輕載時的損耗增加。
 
傾佳電子（Changer Tech）致力于國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場的推廣！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!
 
 
傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷的基本™第二代碳化硅SiC MOSFET主要有B2M160120H，B2M160120Z，B2M160120R，B2M080120H,B2M080120Z，B2M080120R，B2M018120H，B2M018120Z，B2M020120Y，B2M065120H，B2M065120Z，B2M065120R，B2M040120H，B2M040120Z，B2M040120R，B2M032120Y，B2M018120Z。適用大功率電力電子裝置的SiC MOSFET模塊，半橋SiC MOSFET模塊，ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊，T型三電平模塊，MPPT BOOST SiC MOSFET模塊。
B2M032120Y國產(chǎn)替代英飛凌IMZA120R030M1H，安森美NTH4L030N120M3S以及C3M0032120K。
B2M040120Z國產(chǎn)替代英飛凌IMZA120R040M1H，安森美NTH4L040N120M3S，NTH4L040N120SC1以及C3M0040120K，意法SCT040W120G3-4AG。
B2M020120Y國產(chǎn)替代英飛凌IMZA120R020M1H，安森美NTH4L020N120SC1，NTH4L022N120M3S以及C3M0021120K，意法SCT015W120G3-4AG。
B2M1000170R國產(chǎn)代替英飛凌IMBF170R1K0M1，安森美NTBG1000N170M1以及C2M1000170J。
B2M065120H國產(chǎn)代替安森美NTHL070N120M3S。
B2M065120Z國產(chǎn)代替英飛凌IMZ120R060M1H，安森美NVH4L070N120M3S，C3M0075120K-A，意法SCT070W120G3-4AG。
B2M160120Z國產(chǎn)代替英飛凌AIMZHN120R160M1T，AIMZH120R160M1T
B2M080120Z國產(chǎn)代替英飛凌AIMZHN120R080M1T，AIMZH120R080M1T
B2M080120R國產(chǎn)代替英飛凌IMBG120R078M2H
B2M040120Z國產(chǎn)替代英飛凌AIMZHN120R040M1T，AIMZH120R040M1T
B2M040120R國產(chǎn)替代英飛凌IMBG120R040M2H
B2M018120R國產(chǎn)替代英飛凌IMBG120R022M2H
B2M018120Z國產(chǎn)替代英飛凌AIMZH120R020M1T，AIMZH120R020M1T
B2M065120Z國產(chǎn)替代英飛凌AIMZHN120R060M1T，AIMZH120R060M1T
 
 
基本™B2M第二代碳化硅MOSFET器件主要特色：
• 比導(dǎo)通電阻降低40%左右
• Qg降低了60%左右
• 開關(guān)損耗降低了約30%
• 降低Coss參數(shù)，更適合軟開關(guān)
• 降低Crss，及提高Ciss/Crss比值,降低器件在串擾行為下誤導(dǎo)通風險
• 最大工作結(jié)溫175℃• HTRB、 HTGB+、 HTGB-可靠性按結(jié)溫Tj=175℃通過測試
• 優(yōu)化柵氧工藝，提高可靠性
• 高可靠性鈍化工藝
• 優(yōu)化終端環(huán)設(shè)計，降低高溫漏電流
• AEC-Q101
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