基本公司SiC碳化硅MOSFET正在替代高壓變頻器的IGBT！
使用基本公司SiC碳化硅MOSFET功率模塊打造高壓變頻器！-傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷
使用基本公司SiC碳化硅MOSFET模塊升級(jí)傳統(tǒng)IGBT模塊高壓變頻器，實(shí)現(xiàn)更高的高壓變頻器效率，更小的高壓變頻器體積重量！更低的高壓變頻器成本！
 
隨著銅價(jià)暴漲高燒不退，如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點(diǎn)，使用基本公司碳化硅MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊，可以顯著提頻降低系統(tǒng)綜合成本（電感磁性元件，散熱系統(tǒng)，整機(jī)重量），電力電子系統(tǒng)的全碳SiC時(shí)代，未來(lái)已來(lái)！傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷基本公司SiC碳化硅MOSFET！
 
傾佳電子（Changer Tech）致力于基本公司國(guó)產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT，全力推動(dòng)基本公司國(guó)產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET加速革掉IGBT的命！Changer Tech is making every effort to promote the domestic BASiC silicon carbide (SiC) MOSFET to accelerate the replacement of IGBT!
 
傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷基本公司2000V系列SiC碳化硅MOSFET-國(guó)產(chǎn)替代英飛凌IMYH200R100M1H，IMYH200R075M1H，IMYH200R050... [詳細(xì)介紹]