適用于固態(tài)斷路器SSCB的國產(chǎn)基本™（BASiC Semiconductor）第二代碳化硅MOSFET-傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷

 

直流配電應用中用于固態(tài)斷路器的基本™（BASiC Semiconductor）國產(chǎn)第二代SiC碳化硅MOSFET-傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷

 

IGBT芯片技術不斷發(fā)展，但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進幅度越來越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導體提供了實現(xiàn)半導體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開關損耗，從而提高開關頻率。進一步的，可以優(yōu)化濾波器組件，相應的損耗會下降，從而全面減少系統(tǒng)損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊，與同樣封裝的Si IGBT模塊相比，功率損耗可以降低約70%左右，可以將開關頻率提5倍（實現(xiàn)顯著的濾波器優(yōu)化），同時保持最高結溫低于最大規(guī)定值。

 

為了保持電力電子系統(tǒng)競爭優(yōu)勢，同時也為了使最終用戶獲得經(jīng)濟效益，一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應用功率轉換應用的優(yōu)勢所在。隨著IGBT技術到達發(fā)展瓶頸，加上SiC MOSFET絕對成本持續(xù)下降，使用SiC MOSFET替代升級IGBT已經(jīng)成為各類型電力電子應用的主流趨勢。

 

傾佳電子（Changer Tech）致力于國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場的推廣！

Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!

 

對于通用應用，SiC 功率器件可以替代 Si IGBT，從而將開關損耗降低高達 70% 至 80%，具體取決于轉換器和電壓和電流水平。IGBT 相關的較高損耗可能成為一個重要的考慮因素。熱管理會增加使用 IGBT 的成本，而其較慢的開關速度會增加電容器和電感器等無源元件的成本。從整體系統(tǒng)成本來看SiC MOSFET加速替代IGBT已經(jīng)成為各類新的電力電子設計中的主流趨勢。SiC MOSFET 更耐熱失控。碳化硅導熱性更強，可實現(xiàn)更好的設備級散熱和穩(wěn)定的工作溫度。

 

Si IGBT 的一個顯著缺點是它們極易受到熱失控的影響。當器件溫度不受控制地升高時，就會發(fā)生熱失控，導致器件發(fā)生故障并最終失效。在高電流、高電壓和高工作條件很常見的電機驅動應用中，例如電動汽車或制造業(yè)，熱失控可能是一個重大的設計風險。SiC MOSFET 更適合溫度較高的環(huán)境條件空間，例如汽車和工業(yè)應用。此外，鑒于其導熱性，SiC MOSFET 可以消除對額外冷卻系統(tǒng)的需求，從而有可能減小整體系統(tǒng)尺寸并降低系統(tǒng)成本。由于 SiC MOSFET 的工作開關頻率比 Si IGBT 高得多，因此它們非常適合需要精確電機控制的應用。高開關頻率在自動化制造中至關重要，其中高精度伺服電機用于工具臂控制、精密焊接和精確物體放置。

 

SiC 功率器件的卓越材料特性使這些器件能夠以更快的開關速度、更低的開關損耗和更薄的有源區(qū)運行，從而實現(xiàn)效率更高、開關頻率更高、更節(jié)省空間的設計。因此，SiC MOSFET 正成為電源轉換應用中優(yōu)于傳統(tǒng)硅（IGBT,MOSFET）的首選。