使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅電能質量裝置SVG及APF！-傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷

使用基本公司SiC碳化硅MOSFET升級傳統(tǒng)IGBT電能質量裝置SVG及APF，實現(xiàn)更高的電能質量裝置SVG及APF補償無功與治理諧波質量！更小的電能質量SVG及APF裝置體積重量！更低的電能質量SVG及APF裝置成本！

 

隨著銅價暴漲高燒不退，如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點，使用基本公司碳化硅MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊，可以顯著提頻降低系統(tǒng)綜合成本（電感磁性元件，散熱系統(tǒng)，整機重量），電力電子系統(tǒng)的全碳SiC時代，未來已來！傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷基本公司SiC碳化硅MOSFET！

 

傾佳電子（Changer Tech）致力于基本公司國產碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場的推廣！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!

 

 

基本公司SiC碳化硅MOSFET單管及模塊適用于各類電能質量裝置SVG及APF，比如加強型靜止無功發(fā)生器 (SVG+)，有源電力濾波器 (APF)等。

 

無功發(fā)生器SVG電網(wǎng)無功補償：響應電網(wǎng)調度AVC指令，提供無功支撐；提高功率因數(shù)：監(jiān)測考核點功率因數(shù)，通過容性無功功率與感性無功功率相互抵消的原理，實現(xiàn)無功補償，提高功率因數(shù)；穩(wěn)定電網(wǎng)電壓：監(jiān)測電網(wǎng)電壓，容性輸出抬高系統(tǒng)電壓和感性輸出拉低系統(tǒng)電壓等方式，實現(xiàn)穩(wěn)定電網(wǎng)電壓；諧波治理：監(jiān)測負載電流，提取負載電流的諧波成分，控制SVG輸出諧波電流大小相等、方向相反的諧波電流注入到電網(wǎng)中，實現(xiàn)諧波治理；三相不平衡補償：監(jiān)測負載電流，利用對稱分量法將負荷電流分解成正序分量和負序分量，控制SVG發(fā)出負序電流大小相等方向相反的電流注入電網(wǎng)，實現(xiàn)三相不平衡補償；電壓波動與閃變治理：監(jiān)測電網(wǎng)電壓波動，快速響應無功支撐，實現(xiàn)電壓波動與閃變治理。

有源電力濾波器APF通過采集電流諧波，對網(wǎng)側諧波進行傅立葉分解，確定各次的諧波分量情況，以最快速度發(fā)出電流命令，并通過功率執(zhí)行器件產生與諧波源諧波電流方向相反幅值相等的補償諧波電流，并注入系統(tǒng)，達到抵消非線性負荷所產生的諧波電流。不但可隔離和消除來自負載側的諧波電流，進而消除因諧波電流耦合在線路上的諧波電壓，減少電流和電壓諧波干擾帶來的危害。此外，系統(tǒng)還可針對無功和三相不平衡發(fā)出相應的工頻電流，與系統(tǒng)中存在的無功電流和不平衡電流進行疊加，消除系統(tǒng)的無功和不平衡電流，達到綜合電能質量治理的目的。

傳統(tǒng)的靜止無功發(fā)生器(SVG)有源電力濾波器 (APF)通常采用IGBT作為功率器件，其IGBT開關損耗大、IGBT開關頻率較低，輸出濾波器和散熱器體積較大，限制了其功率密度和效率的提高?；竟維iC碳化硅MOSFET單管及模塊的開關頻率可達IGBT的兩倍以上，且能承受更高的結溫，使SVG及APF器件的效率和功率密度可進一步提高。從SVG及APF拓撲、開關頻率、功率器件損耗、器件成本、濾波器、散熱器等角度對SVG及APF進行優(yōu)化設計，基本公司SiC碳化硅MOSFET單管及模塊的SVG及APF，采用兩電平交錯式作為功率拓撲，采用單電感濾波器作為濾波器，其等效開關頻率可達100 kHz?；竟維iC碳化硅MOSFET單管及模塊為常規(guī)IGBT電能質量裝置的一半左右，功率密度為1.35kVar/L，是常規(guī)常規(guī)IGBT電能質量裝置的兩倍左右；樣機峰值效率高達99.2%，滿載效率最高可達99%。

 

IGBT芯片技術不斷發(fā)展，但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進幅度越來越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導體提供了實現(xiàn)半導體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開關損耗，從而提高開關頻率。進一步的，可以優(yōu)化濾波器組件，相應的損耗會下降，從而全面減少系統(tǒng)損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊，與同樣封裝的Si IGBT模塊相比，功率損耗可以降低約70%左右，可以將開關頻率提5倍（實現(xiàn)顯著的濾波器優(yōu)化），同時保持最高結溫低于最大規(guī)定值。

 

未來隨著設備和工藝能力的推進，更小的元胞尺寸、更低的比導通電阻、更低的開關損耗、更好的柵氧保護是SiC碳化硅MOSFET技術的主要發(fā)展方向，體現(xiàn)在應用端上則是更好的性能和更高的可靠性。

為此，BASiC™基本公司研發(fā)推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET，該系列產品進一步優(yōu)化鈍化層，提升可靠性，相比上一代產品擁有更低比導通電阻、器件開關損耗，以及更高可靠性等優(yōu)越性能，可助力光伏儲能、新能源汽車、直流快充、工業(yè)電源、通信電源、伺服驅動、APF/SVG、熱泵驅動、工業(yè)變頻器、逆變焊機、四象限工業(yè)變頻器等行業(yè)實現(xiàn)更為出色的能源效率和應用可靠性。

 

為滿足光伏儲能領域高電壓、大功率的應用需求，BASiC™基本公司基于第二代SiC MOSFET技術平臺開發(fā)推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高壓系列碳化硅MOSFET，產品具有低導通電阻、低導通損耗、低開關損耗、支持更高開關頻率運行等特點。

針對新能源汽車的應用需求，BASiC™基本公司研發(fā)推出符合AEC-Q101認證和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ 的碳化硅MOSFET，可主要應用在車載充電機及汽車空調壓縮機驅動中。

B3M040120Z是BASiC™基本公司基于第三代碳化硅MOSFET技術平臺開發(fā)的最新產品，該系列產品進一步優(yōu)化鈍化層，提升可靠性，相對于上一代產品在比導通電阻、開關損耗以及可靠性方面有更進一步提升。

BMF240R12E2G3是BASiC™基本公司基于PcoreTM2 E2B封裝的1200V 5.5mΩ工業(yè)級全碳化硅半橋功率模塊，產品采用集成的NTC溫度傳感器、Press-Fit壓接技術以及高封裝可靠性的氮化硅AMB陶瓷基板，在導通電阻、開關損耗、抗誤導通、抗雙極性退化等方面表現(xiàn)出色。

B2M040120T和B2M080120T是BASiC™基本公司基于第二代碳化硅MOSFET技術開發(fā)的頂部散熱內絕緣的塑封半橋模塊，主要應用于OBC、空調壓縮機和工業(yè)電源中。

BASiC™基本公司推出可支持米勒鉗位的雙通道隔離驅動芯片BTD25350系列，此驅動芯片專為碳化硅MOSFET門極驅動設計，可高效可靠抑制碳化硅MOSFET的誤開通，還可用于驅動MOSFET、IGBT等功率器件。

 

為了保持電力電子系統(tǒng)競爭優(yōu)勢，同時也為了使最終用戶獲得經濟效益，一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應用功率轉換應用的優(yōu)勢所在。隨著IGBT技術到達發(fā)展瓶頸，加上SiC MOSFET絕對成本持續(xù)下降，使用SiC MOSFET替代升級IGBT已經成為各類型電力電子應用的主流趨勢。

 

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傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN，驅動IC)分銷商，聚焦新能源、交通電動化、數(shù)字化轉型三大方向，致力于服務中國工業(yè)電源，電力電子裝備及新能源汽車產業(yè)鏈。在新型能源體系的發(fā)展趨勢場景下，融合數(shù)字技術、電力電子技術、熱管理技術和儲能管理技術，以實現(xiàn)發(fā)電的低碳化、用能的電氣化和用電的高效化，以及“源、網(wǎng)、荷、儲、車”的協(xié)同發(fā)展。傾佳電子（Changer Tech）-以技術創(chuàng)新為導向，將不斷創(chuàng)新技術和產品，堅定不移與產業(yè)和合作伙伴攜手，積極參與數(shù)字能源產業(yè)生態(tài)，為客戶提供高品質汽車智能互聯(lián)連接器與線束，新能源汽車連接器，新能源汽車高壓連接器與線束，直流充電座，耐高壓連接器&插座，創(chuàng)新型車規(guī)級互聯(lián)產品，包括線對板、板對板、輸入輸出、電源管理和FFC-FPC連接器，涵蓋2級充電站和可在30分鐘內為EV電池充滿電的3級超快速充電站的高能效電源連接器，用于地下無線充電的IP67級密封連接器。以及以技術創(chuàng)新為導向的各類功率半導體器件：車規(guī)碳化硅(SiC)MOSFET，大容量RC-IGBT模塊，碳化硅(SiC)MOSFET模塊，IGBT模塊，國產碳化硅(SiC)MOSFET，IPM模塊，IGBT單管，混合IGBT單管，三電平IGBT模塊，混合IGBT模塊，光伏MPPT碳化硅MOSFET，伺服驅動SiC碳化硅MOSFET，逆變焊機國產SiC碳化硅MOSFET，OBC車載SiC碳化硅MOSFET，儲能變流器PCS碳化硅MOSFET模塊，充電樁電源模塊碳化硅MOSFET，國產氮化鎵GaN，隔離驅動IC等產品，傾佳電子（Changer Tech）全面服務于中國新能源汽車行業(yè)，新能源汽車電控系統(tǒng)，電力電子裝備，新能源汽車充電樁系統(tǒng)，全液冷超充，高功率密度風冷充電模塊，液冷充電模塊，歐標充電樁，車載DCDC模塊，國網(wǎng)三統(tǒng)一充電模塊光儲變流器，分布式能源、虛擬電廠、智能充電網(wǎng)絡、V2X、綜合智慧能源、智能微電網(wǎng)智能光儲，智能組串式儲能等行業(yè)應用，傾佳電子（Changer Tech）為實現(xiàn)零碳發(fā)電、零碳數(shù)據(jù)中心、零碳網(wǎng)絡、零碳家庭等新能源發(fā)展目標奮斗，從而為實現(xiàn)一個零碳地球做出貢獻，邁向數(shù)字能源新時代！Changer Tech strives to achieve new energy development goals such as zero-carbon power generation, zero-carbon data centers, zero-carbon networks, and zero-carbon homes, thereby contributing to the realization of a zero-carbon earth and moving towards a new era of digital energy!