使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅工業(yè)變頻器！-傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷

使用基本公司SiC碳化硅MOSFET升級(jí)傳統(tǒng)IGBT工業(yè)變頻器，實(shí)現(xiàn)更高的通用變頻器高功率密度，通用變頻器高溫環(huán)境應(yīng)用！通用變頻器低電機(jī)噪聲控制！取得通用變頻器能耗與性能的最優(yōu)權(quán)衡！

 

隨著銅價(jià)暴漲高燒不退，如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點(diǎn)，使用基本公司碳化硅MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊，可以顯著提頻降低系統(tǒng)綜合成本（電感磁性元件，散熱系統(tǒng)，整機(jī)重量），電力電子系統(tǒng)的全碳SiC時(shí)代，未來(lái)已來(lái)！傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷基本公司SiC碳化硅MOSFET！

 

傾佳電子（Changer Tech）致力于基本公司國(guó)產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場(chǎng)的推廣！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!

 

傾佳電子（Changer Tech）致力于基本公司國(guó)產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT，全力推動(dòng)基本公司國(guó)產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET加速革掉IGBT的命！Changer Tech is making every effort to promote the domestic BASiC silicon carbide (SiC) MOSFET to accelerate the replacement of IGBT!

 

基本公司SiC碳化硅MOSFET單管適用于工業(yè)變頻器應(yīng)用，比如通用變頻器、專用變頻器、電梯變頻器等。

 

雖然傳統(tǒng)IGBT器件在其低損耗，高開(kāi)關(guān)頻率，高功率密度特征上持續(xù)提升，但是由于自身特點(diǎn)的限制，在部分溫度高，安裝體積緊湊，電機(jī)電磁噪聲敏感的工業(yè)傳動(dòng)場(chǎng)合，已無(wú)法適應(yīng)高功率密度、高溫環(huán)境、低電機(jī)噪聲控制的應(yīng)用要求，在一定程度上IGBT進(jìn)入發(fā)展瓶頸期。使用基本公司SiC碳化硅MOSFET替代IGBT已經(jīng)成為行業(yè)潮流!

SiC碳化硅MOSFET工業(yè)變頻器支持開(kāi)環(huán)矢量和閉環(huán)矢量?jī)煞N控制方式，載波頻率達(dá)到100kHz, 輸出頻率達(dá)到10kHz，采用電機(jī)諧波電流控制技術(shù)，優(yōu)化轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)控制，實(shí)現(xiàn)更低電機(jī)轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)及電機(jī)電磁噪聲，DPWM /CPWM智能切換動(dòng)態(tài)載波調(diào)制，可以取得能耗與性能的最優(yōu)權(quán)衡。功率器件死區(qū)時(shí)間控制方面，偉創(chuàng)變頻器最小死區(qū)時(shí)間控制在300ns左右，大幅提升輸出電壓利用率提升10%。

SiC碳化硅MOSFET通用變頻器全功率段采用碳化硅單管及碳化硅單管并聯(lián)方案，以獨(dú)特軟/硬件配合動(dòng)態(tài)控制方法，實(shí)現(xiàn)單管之間有效均流，在碳化硅MOSFET功率器件異常情況（過(guò)流，短路）下快速保護(hù)，通過(guò)對(duì)變頻器中SiC碳化硅MOSFET功率器件驅(qū)動(dòng)參數(shù)優(yōu)化，器件與結(jié)構(gòu)布局優(yōu)化，解決變頻器實(shí)際使用過(guò)程中（由于SiC碳化硅MOSFET高dv/dt產(chǎn)生的變頻器自身及配套使用設(shè)計(jì)）的電磁干擾問(wèn)題.

SiC碳化硅MOSFET變頻器可以通過(guò)提高運(yùn)行載波，節(jié)省輸出濾波裝置或縮小電機(jī)體積等方式，有效改善現(xiàn)有高速電機(jī)驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品的痛點(diǎn)。隨著高速空浮、磁浮電機(jī)的應(yīng)用普及，SiC碳化硅MOSFET變頻器憑借技術(shù)的優(yōu)勢(shì)將迅速占領(lǐng)該類產(chǎn)品應(yīng)用市場(chǎng)。

 

VVVF變頻、矢量控制變頻、直接轉(zhuǎn)矩控制變頻都是交—直—交變頻中的一種。其共同缺點(diǎn)是輸入功率因數(shù)低，諧波電流大，直流電路需要大的儲(chǔ)能電容，再生能量又不能反饋回電網(wǎng)，即不能進(jìn)行四象限運(yùn)行。為此，矩陣式交—交變頻應(yīng)運(yùn)而生。由于矩陣式交—交變頻省去了中間直流環(huán)節(jié)，從而省去了體積大、價(jià)格貴的電解電容。它能實(shí)現(xiàn)功率因數(shù)為1，輸入電流為正弦且能四象限運(yùn)行，系統(tǒng)的功率密度大。

矩陣變頻具有較大優(yōu)勢(shì):一方面矩陣變換器沒(méi)有儲(chǔ)能元件,體積可以比同樣容量的兩級(jí)結(jié)構(gòu)變流器小;另一方面矩陣變頻不需要電解電容器,也就不需要考慮電解電容壽命問(wèn)題。

 

采用基本公司SiC碳化硅MOSFET開(kāi)發(fā)高功率密度變頻器，除通用變頻器一般驅(qū)動(dòng)功能外，同時(shí)具備通用變頻器高電力品質(zhì)、能量回生、高功率密度三個(gè)特性。

采用基本公司SiC碳化硅MOSFET的矩陣變頻器為了挑戰(zhàn)降低諧波、改善功因及提升功率密度，具有下列關(guān)鍵技術(shù)

1. 高頻SiC碳化硅MOSFET驅(qū)控電路技術(shù)，提升矩陣變頻器頻率由(8kHz-->50kHz)。

2. 改善電力品質(zhì)，采用DMCSVM換動(dòng)態(tài)載波調(diào)制，降低諧波(33%-->7%)，減少電力損失。

3. 改善功率因數(shù)(0.75-->0.98)，提升電力線上所有設(shè)備的壽命。

4. 采用基本公司SiC碳化硅MOSFET的矩陣變頻器具有雙向能量轉(zhuǎn)換特性，電機(jī)煞車時(shí)，可將能量直接回饋至電網(wǎng)，節(jié)能效果提升20%以上，采用基本公司SiC碳化硅MOSFET的矩陣變頻器在電梯應(yīng)用能量回生達(dá)65%。

5. 采用基本公司SiC碳化硅MOSFET的矩陣變頻器小型化功率底座、散熱及一體化設(shè)計(jì)，整機(jī)功率密度可達(dá)4kW/L，充分響應(yīng)節(jié)能減排。

 

采用基本公司SiC碳化硅MOSFET功率器件的高效、高可靠性變頻器，擺脫長(zhǎng)期以來(lái)依賴于國(guó)外器件供應(yīng)商的產(chǎn)業(yè)瓶頸，實(shí)現(xiàn)碳化硅MOSFET功率器件的國(guó)產(chǎn)化替代貢獻(xiàn)自己的行業(yè)力量。

 

IGBT芯片技術(shù)不斷發(fā)展，但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進(jìn)幅度越來(lái)越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來(lái)越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導(dǎo)體提供了實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開(kāi)關(guān)損耗，從而提高開(kāi)關(guān)頻率。進(jìn)一步的，可以優(yōu)化濾波器組件，相應(yīng)的損耗會(huì)下降，從而全面減少系統(tǒng)損耗。通過(guò)采用低電感SiC MOSFET功率模塊，與同樣封裝的Si IGBT模塊相比，功率損耗可以降低約70%左右，可以將開(kāi)關(guān)頻率提5倍（實(shí)現(xiàn)顯著的濾波器優(yōu)化），同時(shí)保持最高結(jié)溫低于最大規(guī)定值。

 

未來(lái)隨著設(shè)備和工藝能力的推進(jìn)，更小的元胞尺寸、更低的比導(dǎo)通電阻、更低的開(kāi)關(guān)損耗、更好的柵氧保護(hù)是SiC碳化硅MOSFET技術(shù)的主要發(fā)展方向，體現(xiàn)在應(yīng)用端上則是更好的性能和更高的可靠性。

為此，BASiC™基本公司研發(fā)推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET，該系列產(chǎn)品進(jìn)一步優(yōu)化鈍化層，提升可靠性，相比上一代產(chǎn)品擁有更低比導(dǎo)通電阻、器件開(kāi)關(guān)損耗，以及更高可靠性等優(yōu)越性能，可助力光伏儲(chǔ)能、新能源汽車、直流快充、工業(yè)電源、通信電源、伺服驅(qū)動(dòng)、APF/SVG、熱泵驅(qū)動(dòng)、工業(yè)變頻器、逆變焊機(jī)、四象限工業(yè)變頻器等行業(yè)實(shí)現(xiàn)更為出色的能源效率和應(yīng)用可靠性。

 

為滿足光伏儲(chǔ)能領(lǐng)域高電壓、大功率的應(yīng)用需求，BASiC™基本公司基于第二代SiC MOSFET技術(shù)平臺(tái)開(kāi)發(fā)推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高壓系列碳化硅MOSFET，產(chǎn)品具有低導(dǎo)通電阻、低導(dǎo)通損耗、低開(kāi)關(guān)損耗、支持更高開(kāi)關(guān)頻率運(yùn)行等特點(diǎn)。

針對(duì)新能源汽車的應(yīng)用需求，BASiC™基本公司研發(fā)推出符合AEC-Q101認(rèn)證和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ 的碳化硅MOSFET，可主要應(yīng)用在車載充電機(jī)及汽車空調(diào)壓縮機(jī)驅(qū)動(dòng)中。

B3M040120Z是BASiC™基本公司基于第三代碳化硅MOSFET技術(shù)平臺(tái)開(kāi)發(fā)的最新產(chǎn)品，該系列產(chǎn)品進(jìn)一步優(yōu)化鈍化層，提升可靠性，相對(duì)于上一代產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗以及可靠性方面有更進(jìn)一步提升。

BMF240R12E2G3是BASiC™基本公司基于PcoreTM2 E2B封裝的1200V 5.5mΩ工業(yè)級(jí)全碳化硅半橋功率模塊，產(chǎn)品采用集成的NTC溫度傳感器、Press-Fit壓接技術(shù)以及高封裝可靠性的氮化硅AMB陶瓷基板，在導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗、抗誤導(dǎo)通、抗雙極性退化等方面表現(xiàn)出色。

B2M040120T和B2M080120T是BASiC™基本公司基于第二代碳化硅MOSFET技術(shù)開(kāi)發(fā)的頂部散熱內(nèi)絕緣的塑封半橋模塊，主要應(yīng)用于OBC、空調(diào)壓縮機(jī)和工業(yè)電源中。

BASiC™基本公司推出可支持米勒鉗位的雙通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片BTD25350系列，此驅(qū)動(dòng)芯片專為碳化硅MOSFET門極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，可高效可靠抑制碳化硅MOSFET的誤開(kāi)通，還可用于驅(qū)動(dòng)MOSFET、IGBT等功率器件。

 

 

為了保持電力電子系統(tǒng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，同時(shí)也為了使最終用戶獲得經(jīng)濟(jì)效益，一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的優(yōu)勢(shì)所在。隨著IGBT技術(shù)到達(dá)發(fā)展瓶頸，加上SiC MOSFET絕對(duì)成本持續(xù)下降，使用SiC MOSFET替代升級(jí)IGBT已經(jīng)成為各類型電力電子應(yīng)用的主流趨勢(shì)。

 

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