近年來，充電時長已經(jīng)成為影響新能源汽車駕駛體驗(yàn)的關(guān)鍵因素，市場對提高車輛充電速度的需求變得越來越迫切。高電壓和大電流都可縮短充電時間，但考慮到銅線損耗的因素，高壓大功率比大電流方案更有效率。而要提升充電速度，必然要關(guān)注大功率充電，在不提高整車電壓平臺的條件下，必須增大充電電流，但這樣也會導(dǎo)致端子、線纜的發(fā)熱量增加，繼而溫度升高。持續(xù)高溫容易損害充電裝置，嚴(yán)重的還會引發(fā)安全事故，為避免這種情況，必須將充電槍端子及線纜的發(fā)熱量及溫升降低，常用的方法就是增大導(dǎo)體截面積。然而增大導(dǎo)體截面積后會增加線纜的重量，用戶使用會很不方便。考慮到充電槍的電流約束，最適合的辦法是通過提升電壓平臺實(shí)現(xiàn)大功率充電。

基本半導(dǎo)體Pcore^TM2 E2B 全碳化硅半橋MOSFET模塊BMF240R120E2G3基于高性能晶圓平臺設(shè)計(jì)，在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、抗誤導(dǎo)通、可靠性等方面表現(xiàn)出色。高溫(Tvj=150℃)下的R_DS(on)參數(shù)僅比常溫(Tvj=25℃)時增加1.4倍左右。產(chǎn)品內(nèi)置碳化硅肖特基二極管，使得續(xù)流二極管基本沒有反向恢復(fù)行為，大幅降低模塊的開通損耗。產(chǎn)品還引入氮化硅(Si₃N₄)AMB陶瓷基板及高溫焊料，可改善長期高溫度沖擊循環(huán)的CTE失配，陶瓷板的可靠性大幅提升。

在高壓快充的大背景下，以基本半導(dǎo)體為代表的碳化硅功率器件企業(yè)將不斷加大研發(fā)力度，確保先進(jìn)技術(shù)能緊跟行業(yè)趨勢和市場需求，為充電樁設(shè)備制造企業(yè)提供更高性能的碳化硅功率器件。隨著新能源汽車、光伏產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，碳化硅器件在電力設(shè)備行業(yè)中還將有更廣泛的應(yīng)用，其市場規(guī)模還有巨大的成長空間，預(yù)計(jì)碳化硅功率器件在光伏逆變器的滲透率將從 2020年的10%增長至 2048年的85%。